| 发明名称 | 一种清洁半导体装置的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种清洁半导体装置的方法和设备，用于清洁一蚀刻标的(例如，自一蚀刻标的移除蚀刻副产物)。该方法至少包含：提供-20～20℃的清洁溶液，并以该清洁溶液清洁该蚀刻标的。该用于清洁半导体装置的设备至少包含：一卡盘，其中一半导体衬底架设于该卡盘上；一用于储存一清洁溶液的溶液储存部分：一用于将该清洁溶液供应至该半导体衬底的溶液供应部分；一可将该清洁溶液温度维持在-20～20℃的热交换部分；和一控制部分，用以控制该卡盘使其转动一预定时间范围，以及使该清洁溶液自该热交换部分经由该溶液供应部分被送至该半导体衬底。据此，本发明在该蚀刻副产物清洁方法中提供该蚀刻图案更精确的侧边轮廓。 | ||
| 申请公布号 | CN100392823C | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200410008062.3 | 申请日期 | 2004.03.09 |
| 申请人 | 东部亚南半导体股份有限公司 | 发明人 | 南相禑;李埰甲 |
| 分类号 | H01L21/3063(2006.01);H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3063(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种清洁半导体装置的方法，用于清洁一半导体衬底上的线或沟槽蚀刻图案，该方法包含以下步骤：(a)将一清洁溶液冷却至一预定温度，该预定温度介于-20～20℃之间；和(b)将该冷却的清洁溶液供应至该半导体衬底，以移除该线或沟槽图案上的蚀刻副产物。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||