| 发明名称 | 一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属多层膜霍尔器件，其由在硅基片上交替生长的磁性金属层和Pt层构成，磁性金属选用Fe、Co或/和CoFe合金。该金属霍尔器件具有超高灵敏度，在室温下甚至可以达到1200V/AT，这已经超过了目前半导体霍尔器件的灵敏度，可应用于传感器和磁存储系统中。本发明提供的上述金属霍尔器件的制备工艺简单、重复且稳定，非常适合实际操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101192645A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610144053.6 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 竺云;蔡建旺 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01);H01L43/04(2006.01);H01L43/14(2006.01) | 主分类号 | H01L43/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1.一种金属多层膜霍尔器件，包括：一硅基片层，和在其上交替周期性生长的磁性金属层和Pt层；所述的磁性金属层的材料为Fe、Co或/和Co100-xFex合金，0＜x＜100。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||