| 发明名称 | 电容器电极的制造方法和制造系统以及存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于除去在基板表面露出的氧化膜等的被处理部而不发生所谓的倾斜问题。本发明提供一种除去基板(W)表面的硅氧化膜(100)，制造电容器电极(103)的电容器电极(103)的制造方法，该方法包含：使基板(W)达到第一处理温度，供给含有卤素的气体，使硅氧化膜(100)和含有卤素的气体发生化学反应，使硅氧化膜(100)变质为反应生成物的工序；和使基板(W)达到比第一处理温度高的第二处理温度，除去变质为反应生成物的硅氧化膜(100)的工序。根据本发明，在存储节点孔(101)的内面形成圆筒形状的电容器电极(103)后，在除去电容器电极(103)周围残留的硅氧化膜(100)时，避免发生倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN101192529A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710162501.X | 申请日期 | 2007.10.16 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西村荣一 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种电容器电极的制造方法，用于除去基板表面的硅氧化膜，制造电容器电极，其特征在于，包括：使所述基板达到第一处理温度，供给含有卤素的气体，使所述硅氧化膜与所述含有卤素的气体发生化学反应，使所述硅氧化膜变质为反应生成物的工序；和使所述基板达到比所述第一处理温度高的第二处理温度，除去变质为所述反应生成物的所述硅氧化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||