发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置的制造方法,包括通过介入胶粘片将半导体元件临时固着在被粘附体上的临时固着工序、和不经过加热工序而直接进行引线接合的引线接合工序,且所述胶粘片相对于被粘附体的临时固着时的剪切胶粘力在0.2MPa以上。由此,可以提供在抑制合格率下降的同时将制造工序简略化的半导体装置的制造方法、用于该方法的胶粘片和由该方法得到的半导体装置。
申请公布号 CN100392831C 申请公布日期 2008.06.04
申请号 CN200410100665.6 申请日期 2004.12.07
申请人 日东电工株式会社 发明人 三隅贞仁;松村健;细川和人;近藤广行
分类号 H01L21/58(2006.01);H01L21/52(2006.01) 主分类号 H01L21/58(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱丹
主权项 1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括通过介入胶粘片将半导体元件临时固着在被粘附体上的临时固着工序、和不经过加热工序而直接进行引线接合的引线接合工序,且所述胶粘片相对于被粘附体的临时固着时的剪切胶粘力在0.2MPa以上。
地址 日本大阪府