| 发明名称 | 通过改变垂直掺杂物质分布以减少硅化物不均匀度的技术 | ||
| 摘要 | 通过修改深漏极和源极区中的垂直掺杂物质(dopant)浓度，可控制金属硅化物区217形成期间的反应行为。为此目的，在金属硅化物界面的目标深度附近形成增加的掺杂物质浓度，从而降低反应速度，并从而改善所得的金属硅化物界面的均匀度。 | ||
| 申请公布号 | CN101194349A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200680018759.6 | 申请日期 | 2006.05.23 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | F·维尔博雷特;D·布朗;P·普雷斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1.一种方法，包含：确认待形成于含硅半导体区212中的金属硅化物区的目标深度，该含硅半导体区形成于衬底201之上；基于该目标深度，沿着该含硅半导体区的深度方向，在该含硅半导体区中形成掺杂物质分布，从而在该目标深度附近得到掺杂物质浓度的局部最大值；以及基于该目标深度形成该金属硅化物区217。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||