| 发明名称 | 改善动态随机存储器PN结漏电流的方法 | ||
| 摘要 | 一种改善动态随机存储器PN结漏电流的方法，包括下列步骤：提供NMOS晶体管，NMOS晶体管形成于P型硅衬底上，所述NMOS晶体管包含漏极；在P型硅衬底上形成绝缘氧化层；蚀刻绝缘氧化层至P型硅衬底，在漏极上形成位线接触孔；经过位线接触孔，向P型硅衬底注入砷离子，形成砷位线接触窗；经过位线接触孔，向P型硅衬底注入磷离子，在砷位线接触窗下方形成磷位线接触窗。经过上述步骤，在位线接触窗区域浓度梯度变小，进而PN结漏电流减小，从而使动态随机存储器在用于低功耗产品时耗电量降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101192575A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118841.8 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王永刚;常建光 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种改善动态随机存储器PN结漏电流的方法，包括下列步骤：提供NMOS晶体管，NMOS晶体管形成于P型硅衬底上，所述NMOS晶体管包含漏极；在P型硅衬底上形成绝缘氧化层；蚀刻绝缘氧化层至P型硅衬底，在漏极上形成位线接触孔；经过位线接触孔，向P型硅衬底注入砷离子，形成砷位线接触窗；经过位线接触孔，向P型硅衬底注入磷离子，在砷位线接触窗下方形成磷位线接触窗。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||