| 发明名称 | 在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，它可以在较短时间和较低温度下进行，进而简化了工艺，降低了成本，另外还避免了对硅表面的损伤。它包括如下步骤：第一步，向硅片的反应腔中通入气体ClF<SUB>3</SUB>和H<SUB>2</SUB>；第二步，经通入气体和自然氧化层氧化反应后，其中自然氧化层生成SiOF或Si<SUB>2</SUB>OF<SUB>6</SUB>挥发。在第一步所述的ClF<SUB>3</SUB>和H<SUB>2</SUB>气体参数如下：流量：H<SUB>2</SUB>为5slm－100slm，ClF<SUB>3</SUB>小于1slm；时间：30s－120s；温度小于700℃；压力小于700Torr。它还包括第三步，再次通入H<SUB>2</SUB>混合气体将残留的ClF<SUB>3</SUB>气体驱除。 | ||
| 申请公布号 | CN101191252A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118496.8 | 申请日期 | 2006.11.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王剑敏 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种在硅片低温外延生长之前去除自然氧化层的方法，其特征在于，它包括如下步骤：第一步，向硅片的反应腔中通入气体CIF3和H2；第二步，经通入气体和自然氧化层氧化反应后，其中自然氧化层生成SiOF或Si2OF6挥发。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||