一种GaN基LED外延片及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特点是p型层为空穴浓度为2×10¹⁸～6×10¹⁸cm^-3的掺受主的GaP层，并在缓冲层与量子阱之间生长一n型限制层。p型层空穴浓度增大，可降低p型层电阻，外加电压下能增加空穴的注入，并使电流扩散更均匀。同时，限制层能克服由于GaP禁带宽度小，对量子阱内电子和空穴的限制作用小的缺点，大大增强对量子阱内的电子和空穴起限制作用，增大量子阱中电子和空穴的复合，从而明显改善GaN基LED的性能。

主权项

1.一种GaN基LED外延片，其结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层，其特征在于缓冲层与量子阱之间生长了限制层，所述限制层为n型限制层，且p型层为空穴浓度为2×1018～6×1018cm-3的GaP层。