| 发明名称 | 多晶结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶结构(24)，包括在基片(23)的表面上延伸的基层(31)。细微构造的磁性晶粒(32)稀疏地存在于基层(31)的表面上。磁性晶粒(32)是由有序合金构成的。磁性晶粒(32)在基层(31)的表面上相互间隔。由于在磁性晶粒(32)中获得了足够的结晶磁性各向异性能量，因此磁化被可靠地保持在细微构造的磁性晶粒(32)中。另外，间隔被限定在相邻的磁性晶粒(32)之间。单个磁性晶粒(32)独立存在。在相邻的磁性晶粒(32)之间可靠地防止磁性相互作用。磁畴可被建立在单个磁性晶粒(32)中。 | ||
| 申请公布号 | CN100392727C | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN02828667.7 | 申请日期 | 2002.04.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 向井良一 |
| 分类号 | G11B5/738(2006.01);G11B5/65(2006.01);G11B5/851(2006.01);G11B5/66(2006.01);H01F10/08(2006.01) | 主分类号 | G11B5/738(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：支撑主体；在支撑主体的表面上延伸的基层；在基层上相互间隔以采用岛式结构的磁性晶粒，基层的暴露表面隔离相邻磁性晶粒，所述磁性晶粒是由有序合金构成的；在基层的暴露表面上形成的隔离层，所述隔离层覆盖在基层上的磁性晶粒上方；以及在隔离层的表面上相互间隔以采用岛式结构的上部磁性晶粒，隔离层的暴露表面隔离相邻上部磁性晶粒，所述上部磁性晶粒是由有序合金构成的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||