| 发明名称 | 产生气体等离子体的方法和装置及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种产生等离子体的方法和装置，以及用等离子体制造半导体器件的方法和装置。气体沿具有与主磁场的磁力线相同偏移的流动路径流动，并对气体施加高频交变电流，从而产生气体等离子体。气体等离子体引入到处理室中，以进行制造半导体器件的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN100392824C | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN03104125.6 | 申请日期 | 2003.02.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社;新能量等离子株式会社 | 发明人 | 闵泳敏;崔大圭;裴道仁;杨润植;黄完九;金镇满 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);C23F4/00(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种产生等离子体的方法，包括：形成具有轴的主磁场和基本上平行于轴的辅助磁场；提供电能以便沿主和辅助磁场之间的路径施加高频交流电；以及使气体沿与电流相同的路径流动以便气体转变成等离子体状态。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||