| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件及其制作方法，包含下列步骤：提供一具有一绝缘表面的基板；形成一非晶硅层于绝缘表面上；加入一金属催化元素至非晶硅层；加热催化非晶硅层以形成一多晶硅层；依序形成一扩散层及一捕捉材料层于多晶硅层上；进行一热退火制程，捕捉材料层中含金属催化元素的浓度小于多晶硅层中含金属催化元素的浓度，故使金属催化元素扩散移动至捕捉材料层中；之后移除扩散层及捕捉材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN101192519A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610162548.1 | 申请日期 | 2006.11.27 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 吴耀铨;侯智元;林其庆;胡国仁 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制作方法，包含：提供具有一绝缘表面的一基板；形成一非晶硅层于该绝缘表面上；加入一金属催化元素于该非晶硅层内；加热催化该非晶硅层以形成一多晶硅层；依序形成一扩散层及一捕捉材料层于该多晶硅层上；进行一热退火制程于该捕捉材料层与该多晶硅层；以及于该进行热退火步骤后移除该扩散层及该捕捉材料层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县八德市 | ||