| 发明名称 | 测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法 | ||
| 摘要 | 一种检测氧化硅－氮化硅－氧化硅膜厚度的方法，包括下列步骤：在硅基片上洒上静电荷；测量硅基片表面静电荷的电压；将电势换算成氧化硅－氮化硅－氧化硅膜的电学厚度。经过上述步骤，用载流子活性测量仪器SDI直接测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层的电学厚度，使测量步骤简化，并且测量出来的结果稳定，进而实现制造工艺控制准确，最终产品能达到设计要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101192553A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118810.2 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 范建国;郭慧;战玉讯 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，包括下列步骤：在硅基片上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在第二氧化硅层上洒上静电荷；测量第二氧化硅层表面静电荷的电压；将电压换算成电学厚度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||