| 发明名称 | 栅极及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极的制造方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层；在所述第一介质层和第二介质层中形成沟槽，所述沟槽底部露出所述基底表面；去除所述第二介质层；在所述第一介质层的沟槽中及所述第一介质层上形成导电层；在所述导电层上旋涂光刻胶层并图形化，形成栅极图形，所述栅极图形位于所述第一介质层的沟槽的上方；通过刻蚀去除未被所述栅极图形覆盖的导电层和第一介质层。该方法可较准确控制形成的栅极底部的线宽。 | ||
| 申请公布号 | CN101192522A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118811.7 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;陈海华;黄怡;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种栅极的制造方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层；在所述第二介质层和第一介质层中形成沟槽，所述沟槽底部露出所述基底表面；去除所述第二介质层；在所述第一介质层的沟槽中及所述第一介质层上形成导电层；在所述导电层上旋涂光刻胶层并图形化，形成栅极图形，所述栅极图形位于所述第一介质层的沟槽的上方；通过刻蚀去除未被所述栅极图形覆盖的导电层和第一介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||