具氮化物肩部高敏感度之自我对位接触蚀刻

摘要

一种蚀刻半导体和介电质基板之方法和装置,系利用具有化学式CaFb之第一气体和具有化学式CxHyFz之第二气体之混合为主的电浆,其中 a/b≧2/3,且其中x/z≧1/2。此混合气体可在磁性增强反应式离子反应室中维持较低或中间程度的电浆密度以提供绝佳角落膜层选择性,光阻层选择性,底部层选择性,及外部轮廓和底部特征尺寸控制的制程。第一和第二气体之分配比例可在蚀刻时加以改变以提供蚀刻未掺杂氧化层薄膜之电浆,或在此类薄膜上提供蚀刻中止。