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发明名称
蚀刻装置及使用该装置之蚀刻方法
摘要
本发明揭示一种蚀刻装置,该蚀刻装置包含:一腔室;一位在该腔室中之基板支撑件;一位在该基板支撑件上方之基板屏蔽单元,其中该基板屏蔽单元之一直径小于或等于一基板;一气体注射构件,其将气体注射至该基板之一周界上;一电源单元,其将一RF(射频)功率提供至该腔室中;以及复数个感测器,其感测该基板支撑件与该基板屏蔽单元之间的间隔。
申请公布号
TW200823995
申请公布日期
2008.06.01
申请号
TW096133770
申请日期
2007.09.07
申请人
周星工程股份有限公司
发明人
全大植;李政范;车城昊;罗圣闵;宋明坤;金德镐;林庆辰
分类号
H01L21/3065(2006.01)
主分类号
H01L21/3065(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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