发明名称 蚀刻装置及使用该装置之蚀刻方法
摘要 本发明揭示一种蚀刻装置,该蚀刻装置包含:一腔室;一位在该腔室中之基板支撑件;一位在该基板支撑件上方之基板屏蔽单元,其中该基板屏蔽单元之一直径小于或等于一基板;一气体注射构件,其将气体注射至该基板之一周界上;一电源单元,其将一RF(射频)功率提供至该腔室中;以及复数个感测器,其感测该基板支撑件与该基板屏蔽单元之间的间隔。
申请公布号 TW200823995 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW096133770 申请日期 2007.09.07
申请人 周星工程股份有限公司 发明人 全大植;李政范;车城昊;罗圣闵;宋明坤;金德镐;林庆辰
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国