发明名称 记忆体缺陷补救方法与相关的记忆体系统
摘要 一种记忆体缺陷补救方法,其包含有:对一记忆体执行一缺陷测试以得出该记忆体的至少一缺陷位址;将得出的该至少一缺陷位址存入一储存媒体之中;将存于该储存媒体之中的该至少一缺陷位址转存入该记忆体的一暂存模组之中;当收到指向该记忆体的一目标位址的一存取要求后,判断该目标位址是否吻合于该至少一缺陷位址中的任一;以及于该目标位址吻合于该至少一缺陷位址中的一者时,对该目标位址所对应的一记忆体单元的一冗余单元进行存取以作为对该存取要求的回应。
申请公布号 TW200823907 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW095142805 申请日期 2006.11.20
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 张全仁;周延平;刘维理
分类号 G11C29/04(2006.01) 主分类号 G11C29/04(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号