发明名称 半导体雷射结构
摘要 本发明提供一种半导体雷射结构,包括:一基板;一堆叠层,设于上述基板上,上述堆叠层具有一出光端及一背端,上述堆叠层包括:一第一披覆层,设于上述基板上;一发光磊晶层,设于上述第一披覆层上;一光栅材料层,设于上述发光磊晶层上,上述光栅材料层具有一皱摺状表面,用以作为一光栅结构;一第二披覆层,设于上述光栅材料层上;一第一镀层,具有一第一反射率,且设于上述背端;一第二镀层,具有一第二反射率,且设于上述出光端;以及一空窗结构,设于上述堆叠层的一表面,且邻接于上述第一镀层。
申请公布号 TW200824204 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW095142986 申请日期 2006.11.21
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 宣融;赵主立;余昱辰;朱慕道
分类号 H01S5/125(2006.01) 主分类号 H01S5/125(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号