发明名称 快闪记忆体之写入电路与其写入方法
摘要 一种快闪记忆体之写入电路与写入方法,本发明利用固定电流来进行快闪记忆体之写入,以调整快闪记忆体之门槛电压。当写入电路对快闪记忆体进行写入时,本发明利用快闪记忆体的汲极电压变化,来判断快闪记体的门槛电压是否达到所期望的电压値。因此,本发明可准确的调整写入后之门槛电压,并缩短写入时间。
申请公布号 TW200823905 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW095142768 申请日期 2006.11.20
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 许哲豪
分类号 G11C16/10(2006.01) 主分类号 G11C16/10(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号