薄膜电晶体及其闸极之制程

摘要

本发明系关于一种薄膜电晶体制程,其包括以下步骤:提供一绝缘基板,于该绝缘基板之表面依序形成显影速率自上而下渐增之至少二光阻层;曝光并显影该光阻层,剩余光阻层宽度自上而下递减;依序沉积多层金属层于光阻层及未被光阻层覆盖之绝缘基板表面;移除该光阻层及该光阻层上之多层金属层,剩余之多层金属层即为薄膜电晶体之闸极,其宽度自上而下递增;沉积一闸极绝缘层;形成一半导体层;形成一源极及一汲极;沉积一钝化层并形成一连接孔。