发明名称 双镶嵌结构的制作方法
摘要 本发明双镶嵌结构的制作方法系先提供一基底,其表面依序包含导电层、蚀刻停止层、介电层以及第一光阻层。图案化第一光阻层以定义出一介层洞图案。进行一蚀刻制程,经由介层洞图案移除部分介电层而形成一介层洞结构。藉由提供含有一氧化碳之气体而进行一灰化制程。于介层洞结构内形成填隙高分子材料,然后于基底表面形成一包含有沟渠图案之第二光阻层。经由沟渠图案而蚀刻介电层,以形成一沟渠结构。
申请公布号 TW200824038 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW095144498 申请日期 2006.11.30
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 马宏
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号