发明名称 | 双镶嵌结构的制作方法 | ||
摘要 | 本发明双镶嵌结构的制作方法系先提供一基底,其表面依序包含导电层、蚀刻停止层、介电层以及第一光阻层。图案化第一光阻层以定义出一介层洞图案。进行一蚀刻制程,经由介层洞图案移除部分介电层而形成一介层洞结构。藉由提供含有一氧化碳之气体而进行一灰化制程。于介层洞结构内形成填隙高分子材料,然后于基底表面形成一包含有沟渠图案之第二光阻层。经由沟渠图案而蚀刻介电层,以形成一沟渠结构。 | ||
申请公布号 | TW200824038 | 申请公布日期 | 2008.06.01 |
申请号 | TW095144498 | 申请日期 | 2006.11.30 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 马宏 |
分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |