发明名称 在基底上沉积阻障层之方法与系统
摘要 一种在基底上沉积阻障层的方法。首先,以离子化金属电浆物理气相沉积制程,在基底上沉积钛层,钛层的厚度在约为10埃至约为1000埃之间。接着,以金属有机化学气相沉积制程,在该钛层上沉积第一氮化钛层,第一氮化钛层的厚度在约为1埃至约为100埃之间。之后,以热化学气相沉积制程,在第一氮化钛层上沉积第二氮化钛层,第二氮化钛层的厚度在约为10埃至约为750埃之间。
申请公布号 TW200823971 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW096108468 申请日期 2007.03.12
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 骆统;苏金达;杨大弘;陈光钊
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号