发明名称 | 在基底上沉积阻障层之方法与系统 | ||
摘要 | 一种在基底上沉积阻障层的方法。首先,以离子化金属电浆物理气相沉积制程,在基底上沉积钛层,钛层的厚度在约为10埃至约为1000埃之间。接着,以金属有机化学气相沉积制程,在该钛层上沉积第一氮化钛层,第一氮化钛层的厚度在约为1埃至约为100埃之间。之后,以热化学气相沉积制程,在第一氮化钛层上沉积第二氮化钛层,第二氮化钛层的厚度在约为10埃至约为750埃之间。 | ||
申请公布号 | TW200823971 | 申请公布日期 | 2008.06.01 |
申请号 | TW096108468 | 申请日期 | 2007.03.12 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 骆统;苏金达;杨大弘;陈光钊 |
分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |