| 摘要 |
本发明揭示一种双埠静态随机存取记忆体记忆体单元(20),其包括耦合至储存节点的一对交叉耦合反相器(40)。一存取电晶体(54)系耦合在每一储存节点(SN、SNB)与一写入位元线(WBL0)之间,并藉由一写入字线(WWL0)控制。该写入字线亦耦合至该对交叉耦合反相器(40)的一电源供应端子。在一写入操作期间,该写入字线会确认。如需要,在该交叉耦合反相器(40)的电源供应端子的电压会遵循写入字线电压,如此会使其更容易在储存节点的储存逻辑状态变化。在写入操作结束,该写入字线会取消确定,允许该交叉耦合反相器(40)正常运作,并维持该储存节点(SN)的逻辑状态。耦合该等交叉耦合反相器的电源供应节点允许较快的写入操作,而不会伤害单元稳定度。 |
