发明名称 | 多晶片结构 | ||
摘要 | 一种多晶片结构,其包括一第一晶片与一第二晶片。第一晶片具有一缓冲区、一内连线区与一第一表面,其中缓冲区与内连线区为电性绝缘。第二晶片配置于第一表面上,其中第二晶片分别电性连接至内连线区与缓冲区。第二晶片会输出一第一类讯号和一第二类讯号,且第一类讯号输入该内连线区内,以参与第一晶片的运算操作,而第二类讯号输入该缓冲区。 | ||
申请公布号 | TW200824075 | 申请公布日期 | 2008.06.01 |
申请号 | TW095142396 | 申请日期 | 2006.11.16 |
申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 许志行 |
分类号 | H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县新店市中正路535号8楼 |