发明名称 多晶片结构
摘要 一种多晶片结构,其包括一第一晶片与一第二晶片。第一晶片具有一缓冲区、一内连线区与一第一表面,其中缓冲区与内连线区为电性绝缘。第二晶片配置于第一表面上,其中第二晶片分别电性连接至内连线区与缓冲区。第二晶片会输出一第一类讯号和一第二类讯号,且第一类讯号输入该内连线区内,以参与第一晶片的运算操作,而第二类讯号输入该缓冲区。
申请公布号 TW200824075 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW095142396 申请日期 2006.11.16
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 许志行
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
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