发明名称 马达驱动装置、积体电路、以及马达驱动方法
摘要 本发明之目的在于降低马达旋转时之噪音。一种马达驱动装置,系根据由位置检测部所产生之显示马达转子以及定子间之相对位置之脉冲讯号,以及用以设定前述马达之旋转速度之旋转速度设定电压,而藉由控制使前述马达之驱动线圈通电之驱动电晶体的导通/非导通,以驱动前述马达者,其中设有:控制电路,其系以对应前述旋转速度设定电压之电压位准的延迟时间份,产生使前述脉冲讯号延迟之脉冲延迟讯号。
申请公布号 TWI297565 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW093130972 申请日期 2004.10.13
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 奥村武清;森田裕隆
分类号 H02P5/00(2006.01) 主分类号 H02P5/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种马达驱动装置,系根据由位置检测部所产生 之显示马达转子以及定子间之相对位置之脉冲讯 号,以及用以设定前述马达之旋转速度之旋转速度 设定电压,而藉由对使前述马达之驱动线圈通电的 驱动电晶体进行导通/非导通之控制,以驱动前述 马达,其设置有: 进行充放电之电容元件; 根据前述旋转速度设定电压与预定电压产生2个不 同之充放电基准电压的充放电基准电压生成电路; 以前述脉冲讯号之边缘时序切换前述电容元件之 充电/放电,并在前述2个充放电基准电压间的电压 范围内进行前述电容元件之充放电的充放电电路; 比较前述电容元件之充放电电压与包含于前述2个 充放电基准电压间的比较基准电压的比较电路;以 及 根据前述比较电路之比较结果,产生与前述旋转速 度设定电压之输入电压位准成正比的延迟时间份, 使前述脉冲讯号延迟之脉冲延迟讯号之控制电路 。 2.如申请专利范围第1项之马达驱动装置,其中,前 述控制电路系在前述比较电路中,以前述充放电电 压由一方之电压位准变为与前述比较基准电压一 致之电压位准为止的期间的延迟时间份,产生使前 述脉冲讯号延迟之前述脉冲延迟讯号。 3.如申请专利范围第1项之马达驱动装置,其中,前 述充放电基准电压生成电路具有:藉由预定之上限 电压或下限电压,限制根据前述旋转速度设定电压 而产生之一方的前述充放电基准电压的限制电路 。 4.如申请专利范围第3项之马达驱动装置,其中,前 述充放电基准电压生成电路系具有对一方之端子 供给第1电压的同时对另一方之端子供给低于前述 第1电压之第2电压的串联电阻体, 将该串联电阻体之第1连接部的电压,设为电压位 准高的一方的前述充放电基准电压, 由该串联电阻体之前述第1连接部将位于前述第2 电压侧之第2连接部的电压,设定为电压位准低的 一方的前述充放电基准电压的限制値, 前述限制电路, 系将限制在前述限制値以下的前述旋转速度设定 电压,设定为前述电压位准低的一方的前述充放电 基准电压。 5.如申请专利范围第3项之马达驱动装置,其中,前 述充放电基准电压生成电路,具有对一方之端子供 给第1电压的同时对另一方之端子供给低于前述第 1电压之第2电压的串联电阻体, 对该串联电阻体之第1连接部的电压,设成电压位 准高的一方的前述充放电基准电压的限制値, 由该串联电阻体之前述第1连接部将位于前述第2 电压侧之第2连接部的电压,设定为电压位准低的 一方的前述充放电基准电压, 前述限制电路, 系将限制在前述限制値以上的前述旋转速度设定 电压,设定为前述电压位准高的一方的前述充放电 基准电压。 6.一种马达驱动装置,系以同特性之电阻体构成申 请专利范围第4项或第5项之前述串联电阻体。 7.如申请专利范围第1项之马达驱动装置,其中,前 述比较基准电压,系设定成对一方之端子供给前述 旋转速度设定电压,而对另一方之端子供给前述预 定电压之串联电阻体之预定之连接部的电压。 8.如申请专利范围第7项之马达驱动装置,其中,系 以同特性之电阻体构成前述串联电阻体。 9.一种马达驱动装置,系以同特性之电阻体构成申 请专利范围第4项或第5项以及第8项之前述串联电 阻体。 10.如申请专利范围第1项之马达驱动装置,其中,前 述控制电路为, 当前述马达为三相马达时,系在各相中设置前述电 容元件、前述充放电电路以及前述比较电路,而且 各相中系共同具有前述充放电基准电压生成电路 。 11.一种积体电路,系将申请专利范围第1项的马达 驱动装置予以积体化。 图式简单说明: 第1图系本发明之一实施例之马达驱动装置之整体 构造的说明图。 第2图系外接在本发明之一实施例之马达驱动装置 之驱动线圈周围的构造的说明图。 第3图系说明比较器输出与驱动电晶体之闸极输入 之间的一般关系的图。 第4图系说明旋转速度设定电压比VIND(%)与对驱动 电晶体之闸极电极的输入之间的一般关系的图。 第5图系本发明之一实施例之充放电电路周围的构 造说明图。 第6图系说明本发明之一实施例之比较器输出与驱 动电晶体之闸极输入之间的关系的图。 第7图系说明本发明之一实施例之旋转速度设定电 压比VIND(%)与时序延迟时间TC之间的关系的图。 第8图系说明先前之旋转速度设定电压比VIND(%)与 时序延迟时间TC之间的关系的图。
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