| 摘要 |
本发明系有关于一种共通电极基板及具有此基板之液晶显示装置,其目的则在提供一种亮度高并可得到良好显示特性之共通电极基板及具有此基板之液晶显示装置。本发明之共通电极基板包含有:一透明绝缘性基板,与具有形成于以多条闸极滙流排线及汲极滙流排线所画定之像素领域内之像素电极16之阵列基板相对配置,系用以夹围具有负的介电率各向异性之液晶者;一共通电极,系形成于该透明绝缘性基板上者;线状之突起8,系形成于该共通电极上者;及,一遮光膜6,形成于该透明绝缘性基板上,系具有在自对该透明绝缘性基板面垂直之方向观察时可视为与该像素电极16重叠之重叠领域18,而可将形成于该像素电极16端部之该液晶之定向不良领域遮光者。 |
| 主权项 |
1.一种共通电极基板,包含有: 一透明绝缘性基板,与具有形成于以多条闸极滙流 排线及汲极滙流排线所划定之像素领域内之像素 电极之阵列基板相对配置,系用以夹持具有负的介 电率各向异性之液晶者; 一共通电极,系形成于该透明绝缘性基板上者; 一定向限制用构造物,系具有形成于该共通电极上 之线状突起及辅助突起;该辅助突起为该像素电极 ,且系自该突起延出并形成在沿着该汲极滙流排线 之方向;及 一遮光膜,系形成于该透明绝缘性基板上,且自相 对于该透明绝缘性基板面垂直之方向看去时,于未 形成有该辅助突起之领域上具有一与该像素电极 重叠之重叠领域,而可将形成于该像素电极端部之 该液晶之定向不良领域遮光者。 2.如申请专利范围第1项之共通电极基板,其中该遮 光膜系自对该透明绝缘性基板面垂直之方向看去 时,于沿该汲极滙流排线之方向上具有该重叠领域 者。 3.如申请专利范围第2项之共通电极基板,其中该重 叠领域之宽度系自对该透明绝缘性基板面垂直之 方向看去时,为2m以上12m以下者。 4.如申请专利范围第1项之共通电极基板,其中该遮 光膜系自对该透明绝缘性基板面垂直之方向看去 时,于该液晶之该定向不良领域以外之正常定向领 域内形成于较该像素电极更外侧处者。 5.如申请专利范围第4项之共通电极基板,其中该遮 光膜系自对该透明绝缘性基板面垂直之方向看去 时,于沿该汲极滙流排线之方向上形成于较该像素 电极更外侧处者。 6.如申请专利范围第5项之共通电极基板,其中该液 晶之该正常定向领域内,自对该透明绝缘性基板面 垂直之方向看去时,该遮光膜之端部与该像素电极 之端部之距离为7m以下。 7.如申请专利范围第4项之共通电极基板,其中该定 向限制用构造物系具有自该突起延出,并朝沿该像 素电极端部之该汲极滙流排线之方向形成之辅助 突起者,而该遮光膜则系自对该透明绝缘性基板面 垂直之方向看去时,于形成有该辅助突起之领域内 形成于较该像素电极更外侧处者。 8.一种共通电极基板,包含有: 一透明绝缘性基板,与具有形成于以多条闸极滙流 排线及汲极滙流排线所划定之像素领域内之像素 电极之阵列基板相对配置,系用以夹持具有负的介 电率各向异性之液晶者; 一共通电极,系形成于该透明绝缘性基板上者; 一定向限制用构造物,系具有形成于该共通电极上 之线状突起者;及 一遮光膜,形成于该透明绝缘性基板上,系自对该 透明绝缘性基板面垂直之方向看去时,于该液晶之 定向不良领域以外之正常定向领域内形成于较该 像素电极更外侧处者。 9.如申请专利范围第8项之共通电极基板,其中该遮 光膜系自对该透明绝缘性基板面垂直之方向看去 时,于沿该汲极滙流排线之方向上形成于较该像素 电极更外侧处者。 10.如申请专利范围第8项之共通电极基板,其中该 定向限制用构造物系具有自该突起延出,并朝沿该 像素电极端部之该汲极滙流排线之方向形成之辅 助突起者,而该遮光膜则系自对该透明绝缘性基板 面垂直之方向看去时,于形成有该辅助突起之领域 内形成于较该像素电极更外侧处者。 11.如申请专利范围第1项之共通电极基板,其中该 遮光膜系由分别形成于前述各像素领域内之滤色 器之形成材料重叠而成者。 12.一种共通电极基板,包含有: 一透明绝缘性基板,与具有形成于以多条闸极滙流 排线及汲极滙流排线所划定之像素领域内之像素 电极之阵列基板相对配置,系用以夹持具有负的介 电率各向异性之液晶者; 一共通电极,形成于该透明绝缘性基板上,系形成 有用以于与该像素电极及该汲极滙流排线间之领 域相对之领域内进行该液晶之定向限制之落差者; 及 一定向限制用构造物,系具有形成于该共通电极上 之线状突起者。 13.如申请专利范围第12项之共通电极基板,其中该 落差系形成厚度大于该像素电极之对向领域者。 14.如申请专利范围第12项之共通电极基板,其中该 定向限制用构造物系具有自该突起延出,并朝沿该 像素电极端部之该汲极滙流排线之方向形成之辅 助突起者,而该落差则系形成于未形成有该辅助突 起之领域内者。 15.如申请专利范围第12项之共通电极基板,其中该 落差系以树脂形成于该共通电极之下层者。 16.如申请专利范围第15项之共通电极基板,其中该 落差系由分别形成于前述各像素领域内之滤色器 之形成材料重叠而形成者。 17.如申请专利范围第15项之共通电极基板,其中该 落差系以黑色树脂形成者。 18.如申请专利范围第1项之共通电极基板,其中该 突起系对该像素电极端边倾斜形成者。 19.一种液晶显示装置,包含有: 一阵列基板,系具有形成于以多条闸极滙流排线及 汲极滙流排线所划定之像素领域内之像素电极者; 一对向基板,与该阵列基板相对配置,系于全面上 形成有共通电极者;及 液晶,封入于该阵列基板及该对向基板间,系具有 负的介电率各向异性者; 而,该对向基板则系使用申请专利范围第1项中之 共通电极基板者。 图式简单说明: 第1图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第2图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第3图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第4图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第5图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第6图系显示作为本发明第1实施例之前提之习知 液晶显示装置之构造之平面图。 第7图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第8图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第9图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第10图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第11图系用以说明作为本发明第1实施例之前提之 习知液晶显示装置之纵串扰之主要原因之图表。 第12图系显示本发明第1实施例之液晶显示装置之 整体构造者。 第13图系用以说明本发明第1实施例之共通电极基 板之平面图。 第14图系显示自具有遮光膜之重叠领域之像素电 极端部起算之重叠幅度之效果之图表。 第15图系显示自具有遮光膜之重叠领域之像素电 极端部起算之重叠幅度之面板透光率变化之图表 。 第16图系用以说明本发明第1实施例之变形例之共 通电极基板之平面图。 第17图系用以说明本发明第1实施例之变形例之共 通电极基板之概略截面图。 第18图系用以说明本发明第1实施例之变形例之共 通电极基板之概略截面图。 第19图系用以说明本发明第2实施例之共通电极基 板之平面图。 第20图系用以说明本发明第2实施例之共通电极基 板之概略截面图。 第21图系显示习知之液晶显示装置之构造之平面 图。 第22图系显示习知之液晶显示装置之构造之概略 截面图。 第23图系显示习知之液晶显示装置之构造之概略 截面图。 第24图系显示习知之液晶显示装置之构造之概略 截面图。 第25图系显示习知之液晶显示装置之构造之平面 图。 第26图系用以说明习知之液晶显示装置之问题者 。 第27图系用以说明习知之液晶显示装置之问题者 。 |
