| 摘要 |
本创作系一种晶片检测装置之改良结构,主要系于底座上设一固定架,并于底座之固定架上固设一压合机构,其压合机构两侧之支撑杆上穿设一枢轴,而枢轴上则固设有一设有复数个压柱之压板,于枢轴一侧设有压杆。藉由底座上置一具插槽之检测电路板,并使检测板之转接卡插于插槽,再将欲检晶片放置于检测板内,于摇动压杆使枢轴旋转一弧度,则压板之压柱压合待检测晶片,并使检测晶片与检测电路导通,并输出检测讯号于一显示装置上,用以检测晶片内之电路是否正常者。亦得于底座与压合机构上则可设有相对应之磁吸元件或/及可微调之压柱,藉磁性原理定位及可微调压柱与晶片之间的接触距离,进而达到构造简单、检测容易、准确等功效之崭新设计者。 |
| 主权项 |
1.一种晶片检测装置改良结构,主要系包括: 一底座,至少包括一机板及一固定架,其固定架系 设于机板上; 一压合机构,其包括至少二个支撑杆、一枢轴及一 压板,该支撑杆系分别固设于该固定架两侧上方, 且该支撑杆上穿设一枢轴,该枢轴上固设有一压板 ,该压板上套设有复数个压柱,并于二支撑杆之一 外侧设有一与该枢轴相互连接之压杆; 一检测板,系包括一检测片及一转接卡,该转接卡 系固设于该检测片下方并置于固定架上,于该检测 片上设有复数晶片槽。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该固定架系由两侧板及一前板组成一 呈ㄩ型架体。 3.如申请专利范围第2项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该两侧板之一外侧设有一止挡柱位于 压杆下方。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该压柱系包括一柱体、一弹性体及一 压盖,其柱体系穿设于压板,于突出于压板之柱体 上再套设有一弹性体,而柱体顶端旋设一压盖以顶 住弹性体。 5.如申请专利范围第4项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该柱体另一端则设有一调整槽。 6.如申请专利范围第5项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该调整槽可为一、十字型或多角形之 凹槽。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片检测装置改良 结构,其更包括至少一磁吸结构,该磁吸结构系包 括一导磁元件及磁性元件。 8.如申请专利范围第7项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该导磁元件系固设于之枢轴,且该磁性 元件固设于前板上并与导磁元件相对应。 9.如申请专利范围第8项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该磁性元件系磁性吸附于一固设于固 定架上之定位片。 10.如申请专利范围第9项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该定位片,系呈“L"型并设有至少一个 穿孔供螺固元件固设于固定架上。 11.如申请专利范围第10项所述之晶片检测装置改 良结构,其中,该定位片上设有复数定位柱,该复数 定位柱间恰可容置前述磁性元件。 12.如申请专利范围第10项所述之晶片检测装置改 良结构,其中,该磁性元件另一侧磁性吸附于具导 磁性并设有复数个定位柱另一定位片。 13.如申请专利范围第1项所述之晶片检测装置改良 结构,其中,该检测片上设有复数个容置槽,且该容 置槽内可容设一晶片治具,且该晶片治具内设有一 晶片槽供容置晶片。 图式简单说明: 第1图系习知晶片检测装置之示意图; 第2图系本创作之晶片检测装置之改良结构之立体 示意图; 第3图系本创作之晶片检测装置之改良结构之立体 分解图; 第4图系本创作之晶片检测装置之改良结构实施示 意图(一); 第5图系本创作之晶片检测装置之改良结构实施示 意图(二); 第6图系本创作之晶片检测装置之改良结构实施示 意图(三); 第7图系本创作之压柱与晶片接触压力调整示意图 (一);以及 第8图系本创作之压柱与晶片接触压力调整示意图 (二)。 |
