| 摘要 |
一种去除废液中之二氧化矽的方法,系将含有二氧化矽的废液,加入含有氟离子的溶液,而反应生成一生成物。本发明另提出一种废水处理方法,系针对一膜管所进行,此膜管中存在有含第一溶液与含有二氧化矽之第二溶液的废水。首先,进行第一清洗步骤,以将膜管中的第一溶液之浓度降至第一浓度。接着,将含有氟离子之第三溶液通入膜管中,与第二溶液产生反应而生成一生成物。之后,进行第二清洗步骤,将未反应的第三溶液之浓度降至第二浓度。 |
| 主权项 |
1.一种去除废液中之二氧化矽的方法,包括: 提供一废液,其中该废液中含有二氧化矽;以及 将一含有氟离子之溶液于一温度下加入该废液中 混合产生化学反应而生成一生成物。 2.如申请专利范围第1项所述之去除溶液中之二氧 化矽的方法,其中该含有氟离子之溶液之氟离子浓 度在1wt%-40wt%之间。 3.如申请专利范围第1项所述之去除溶液中之二氧 化矽的方法,其中该含有氟离子之溶液包括氟化铵 溶液或氟化氢铵溶液。 4.如申请专利范围第1项所述之去除溶液中之二氧 化矽的方法,其中该生成物包括一气态化合物。 5.如申请专利范围第4项所述之去除溶液中之二氧 化矽的方法,其中该气态化合物包括四氟化矽。 6.如申请专利范围第1项所述之去除溶液中之二氧 化矽的方法,其中该温度在10℃-50℃之间。 7.一种废水处理方法,包括: 提供一膜管,该膜管中存在有含一第一溶液与含有 二氧化矽之一第二溶液之一废水; 进行一第一清洗步骤,以将该膜管中之该第一溶液 之浓度降至第一浓度; 将一含氟离子之溶液于一温度下通入该膜管中,与 该第二溶液产生化学反应而生成一生成物;以及 进行一第二清洗步骤,将未反应之该含氟离子之溶 液之浓度降至第二浓度。 8.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其中 该第一溶液中系含有可与该含氟离子之溶液产生 放热反应之物质。 9.如申请专利范围第8项所述之废水处理方法,其中 该第一溶液包括双氧水。 10.如申请专利范围第9项所述之废水处理方法,其 中该第一清洗步骤包括利用清水冲洗(flush)该膜管 。 11.如申请专利范围第10项所述之废水处理方法,更 包括于该第一清洗步骤之后,进行一检测步骤,以 检测残留之该第一溶液之浓度。 12.如申请专利范围第11项所述之废水处理方法,其 中该检测步骤包括利用双氧水试纸测量残留之该 第一溶液之浓度。 13.如申请专利范围第9项所述之废水处理方法,其 中该第一浓度小于10ppm。 14.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中该含氟离子之溶液之氟离子浓度在1wt%-40wt%之间 。 15.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中该含氟离子之溶液包括氟化铵溶液或氟化氢铵 溶液。 16.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中该温度在10℃-50℃之间。 17.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中该生成物包括一气态化合物。 18.如申请专利范围第16项所述之废水处理方法,其 中该气态化合物包括四氟化矽。 19.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中更包括于产生该生成物后,将该生成物通入洗涤 塔中。 20.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中该第二清洗步骤包括利用清水冲洗(rinse)该膜管 。 21.如申请专利范围第7项所述之废水处理方法,其 中该第二浓度小于10ppm。 图式简单说明: 图1系依照本发明较佳实施例之去除废液中之二氧 化矽的方法所绘示的步骤流程图。 图2系依照本发明较佳实施例之废水处理方法所绘 示的步骤流程图。 |
