| 主权项 |
1.一种电位转换器,其包括: 一耦合装置,经一第一输入端与一第一讯号耦接, 经一第二输入端与一第二讯号耦接,经由一第一输 出端输出一第一控制讯号,经由一第二输出端输出 一第一参考电压,且该第一讯号与该第二讯号系为 反相; 一第一型控制电晶体,包括有一第一闸极、一第一 源极以及一第一汲极,该第一闸极系由该第一控制 讯号控制,而该第一汲极则用以输出一第二参考电 压; 一第一型第一电晶体,包括有一第二闸极、一第二 源极以及一第二汲极,其中该第二闸极则系由该第 一控制讯号控制; 一第一型第二电晶体,包括有一第三闸极、一第三 源极以及一第三汲极,其中该第三闸极系由该第一 参考电压或该第二参考电压所控制,该第三源极与 该第二汲极耦接且产生一输出讯号; 其中该输出讯号之位准为该第一讯号之位准平移 所得。 2.如申请专利范围第1项所述之电位转换器,其中该 耦合装置包括: 一第一型第三电晶体,包括有一第四闸极、一第四 汲极以及一第四源极,该第四源极系耦接于一第一 偏压; 一第一型第四电晶体,包括有一与该第四汲极耦接 之第五闸极、一与该第一偏压耦接之第五源极以 及一与该第四闸极耦接之第五汲极; 一第一电容,耦接该第一讯号至该第四汲极; 一第二电容,耦接该第二讯号至该第五汲极;及 一单向导通装置,耦接该第四汲极以及该第一汲极 ,并经由该输出端输出该第一参考电压。 3.如申请专利范围第2项所述之电位转换器,其中该 耦合装置更包括: 一第一型第五电晶体,包括有一第六闸极、一第六 汲极以及一第六源极,该第六源极系耦接于一第二 偏压; 一第一型第六电晶体,包括有一与该第六汲极耦接 之第七闸极、一与该第二偏压耦接之第七源极以 及一与该第六闸极耦接之第七汲极,其中该第七汲 极产生该第一控制讯号; 一第三电容,耦接该第一讯号至该第六汲极;及 一第四电容,耦接该第二讯号至该第七汲极。 4.如申请专利范围第2项所述之电位转换器,其中该 单向导通装置包括N个串联之二极体,N为自然数且 大于或等于1。 5.如申请专利范围第2项所述之电位转换器,其中该 单向导通装置包括M个串联之电晶体,M为自然数且 大于或等于1。 6.如申请专利范围第1~5项其中之一所述之电位转 换器,其中该第一型为P型。 7.如申请专利范围第6项所述之电位转换器,其中该 P型电晶体是P型低温多晶矽电晶体。 8.一种电位转换器,其包括: 一第一型控制电晶体,包括有一第一闸极、一第一 源极以及一第一汲极,其中该第一源极用以接收一 第一讯号,该第一闸极系由一第二讯号控制,而该 第一汲极则用以输出一第一参考电压,且该第一讯 号与该第二讯号系为反相; 一耦合装置,经一第一输入端与该第一讯号耦接, 经一第二输入端与该第二讯号耦接,经一第三输入 端与一偏压耦接,且经由一输出端输出一第二参考 电压,且该输出端与该第一汲极耦接; 一第一型第一电晶体,包括有一第二闸极、一第二 源极以及一第二汲极,其中该第二源极用以接收该 第一讯号,而该第二闸极则系由该第二讯号控制; 一第一型第二电晶体,包括有一第三闸极、一第三 源极以及一第三汲极,其中该第三闸极系由该第一 参考电压或该第二参考电压所控制,该第三汲极系 耦接该偏压,该第三源极与该第二汲极耦接且产生 一输出讯号; 其中该输出讯号之位准为该第一讯号之位准平移 所得。 9.如申请专利范围第8项所述之电位转换器,其中该 耦合装置更包括: 一第一型第三电晶体,包括有一第四闸极、一第四 汲极以及一与该偏压耦接之第四源极; 一第一型第四电晶体,包括有一与该第四汲极耦接 之第五闸极、一与该偏压耦接之第五源极以及一 与该第四闸极耦接之第五汲极; 一第一电容,耦接该第一讯号至该第四汲极; 一第二电容,耦接该第二讯号至该第五汲极;以及 一单向导通装置,耦接该第四汲极以及该第一汲极 ,并经由该输出端输出该第二参考电压。 10.如申请专利范围第9项所述之电位转换器,其中 该单向导通装置包括N个串联之二极体,N为自然数 且大于或等于1。 11.如申请专利范围第9项所述之电位转换器,其中 该单向导通装置包括M个串联之电晶体,M为自然数 且大于或等于1。 12.如申请专利范围第8-11项其中之一所述之电位转 换器,其中该第一型为P型。 13.如申请专利范围第12项其中之一所述之电位转 换器,其中该P型电晶体是P型低温多晶矽电晶体。 14.一种电位转换器,其包括: 一耦合装置,经一第一输入端与一第一讯号耦接, 经一第二输入端与一第二讯号耦接,经一第三输入 端与一第一偏压耦接,经一第四输入端与一第二偏 压耦接,经由一第一输出端输出一第一控制讯号, 经由一第二输出端输出一第一参考电压,且该第一 讯号与该第二讯号系为反相; 一第一型控制电晶体,包括有一第一闸极、一第一 源极以及一第一汲极,其中该第一源极耦接该第一 偏压,该第一闸极系由该第一控制讯号控制,而该 第一汲极则用以输出一第二参考电压; 一第一型第一电晶体,包括有一第二闸极、一第二 源极以及一第二汲极,其中该第二源极耦接该第一 偏压,而该第二闸极则系由该第一控制讯号控制; 一第一型第二电晶体,包括有一第三闸极、一第三 源极以及一第三汲极,其中该第三闸极系由该第一 参考电压或该第二参考电压所控制,该第三汲极系 耦接该第二偏压,该第三源极与该第二汲极耦接且 产生一输出讯号; 其中,该输出讯号之位准系为该第一讯号之位准平 移所得。 15.如申请专利范围第14项所述之电位转换器,其中 该耦合装置更包括: 一第一型第三电晶体,包括有一第四闸极、一第四 汲极以及一与该第二偏压耦接之第四源极; 一第一型第四电晶体,包括有一与该第四汲极耦接 之第五闸极、一与该第二偏压耦接之第五源极以 及一与该第四闸极耦接之第五汲极; 一第一电容,耦接该第一讯号至该第四汲极; 一第二电容,耦接该第二讯号至该第五汲极; 一单向导通装置,耦接该第四汲极以及该第一汲极 ,并经由该输出端输出该第一参考电压; 一第一型第五电晶体,包括有一第六闸极、一第六 汲极以及一第六源极,该第六源极系耦接于一第一 偏压; 一第一型第六电晶体,包括有一与该第六汲极耦接 之第七闸极、一与该第一偏压耦接之第七源极以 及一与该第六闸极耦接之第七汲极,其中该第七汲 极产生该第一控制讯号; 一第三电容,耦接该第一讯号至该第六汲极;以及 一第四电容,耦接该第二讯号至该第七汲极。 16.如申请专利范围第15项所述之电位转换器,其中 该单向导通装置包括N个串联之二极体,N为自然数 且大于或等于1。 17.如申请专利范围第15项所述之电位转换器,其中 该单向导通装置包括M个串联之电晶体,M为自然数 且大于或等于1。 18.如申请专利范围第14~17项其中之一所述之电位 转换器,其中该第一型为P型。 19.如申请专利范围第18项其中之一所述之电位转 换器,其中该P型电晶体是P型低温多晶矽电晶体。 图式简单说明: 第1图绘示系为传统之电位转换器。 第2图绘示系另一传统之电位转换器。 第3图绘示系依照本发明第一实施例之电位转换器 之电路图。 第4图绘示系单向导通装置之第一实施例之电路图 。 第5图绘示系单向导通装置之第二实施例之电路图 。 第6图绘示系第一实施例之电位转换器之讯号时序 图。 第7图绘示系依本发明一第二实施例之电位转换器 之电路图。 第8图绘示系第二实施例中之电位转换器之讯号时 序图。 |
