发明名称 金属矽化物膜之原子层沈积
摘要 一种用于形成金属矽化物膜之方法。所述方法包含使基板交替且连续地与矽来源化学品、金属来源化学品及氧化剂之气相脉冲接触,其中所述金属来源化学品是在所述矽来源化学品后提供的下一个反应物。根据一些实施例之方法可用于在基板表面上形成一层覆盖基板且实质上均一而富含矽之矽酸铪及矽酸锆膜。
申请公布号 TW200823309 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW096137237 申请日期 2007.10.04
申请人 ASM股份有限公司 发明人 王长工;雪洛 艾立克;威尔克 格兰
分类号 C23C16/00(2006.01);C30B25/14(2006.01) 主分类号 C23C16/00(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 美国