发明名称 用于移除光阻剂、蚀刻残留物及BARC的配方FORMULATION FOR REMOVAL OF PHOTORESIST, ETCH RESIDUE AND BARC
摘要 一种去除光阻剂、离子注入光阻剂、蚀刻残余物或BARC的配方,其中该配方包括:氢氧化铵和2-胺基苯并唑、余量的水。优选地,该配方包括:氢氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-胺基苯并唑、二丙二醇单甲醚、余量的水;更优选:氢氧化四甲基铵1-15重量%、甲苯基三唑1-5重量%、丙二醇5-15重量%、2-胺基苯并唑1-10重量%、二丙二醇单甲醚20-45重量%、余量的水。本发明还是一种从基材去除选自光阻剂、蚀刻残余物、BARC以及它们的组合的物质的方法,其包括:将上述的配方施用到所述基材从而从所述基材去除所述物质。
申请公布号 TW200823611 申请公布日期 2008.06.01
申请号 TW096104641 申请日期 2007.02.08
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 马修 I 爱格比;麦克 瓦特 雷詹札
分类号 G03F7/42(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 G03F7/42(2006.01)
代理机构 代理人 陈展俊;林圣富
主权项
地址 美国