具稳压及静电放电防护之金氧半导体元件及其制造方法

摘要

本发明系有关于一种具稳压及静电放电防护之金氧半导体元件及其制造方法,其应用于一晶片,本发明包含一P型基底、一导体层、一第一N型掺杂区、一第二N型掺杂区及一第三N型掺杂区,其系利用该第二N型掺杂区及该第三N型掺杂区,使该金氧半导体于该晶片未安装或未运作时,可避免人体或机械产生之静电,透过焊垫使晶片损毁;于晶片运作时,可作为一电源端与一接地端间之稳压电容之用,如此可有效率地利用该金氧半导体,并无须另外制作电容,可节省该晶片之尺寸大小,进而降低成本。