氧化膜形成方法及其装置

摘要

氧化膜形成装置1系将紫外光区域之光照射于基板7上,同时将由有机矽构成的原料气体G1与臭氧气体G2供应至基板7上而使氧化膜形成在基板7之表面上。将基板7收纳于处理炉2中。配管3系于室温下,使原料气体G1与臭氧气体G2予以混合后而供应至处理炉2内之基板7上。光源5系将较210nm更长波长之光作为紫外光区域之光而照射于基板7上。供应至配管3之臭氧气体G2相对于原料气体G1的混合量系至少使原料气体G1完全氧化所需的化学当量以上之方式来加以设定。若根据氧化膜形成装置1,提高原料气体之利用效率,同时藉由200℃以下之制膜步骤而能够形成具优越电特性的氧化膜。