| 摘要 |
本发明旨在提供一种半导体装置。目的在于:在包括膜厚较厚的最上层布线的半导体装置中,防止在各电晶体的电晶体特性方面产生差异的现象。该半导体装置包括形成在半导体基板101的功率元件Tr;形成在半导体基板101的多个电晶体Tr1、Tr2;形成在半导体基板101上且覆盖功率元件Tr及多个电晶体Tr1、Tr2的第一绝缘膜104;形成在第一绝缘膜104上,由第二绝缘膜107(或者115、123)、形成在第二绝缘膜107中的布线、和形成在第二绝缘膜107中的没有布线存在的区域的虚设图案111(或者119、126)构成的布线层;形成在布线层上,与功率元件电连接的最上层布线功率电极129;以及均匀地形成在布线层上的没有最上层布线129存在的区域的最上层虚设图案131。 |
