半导体磊晶结晶基板的制造方法

摘要

本发明系提供一种具有较低的闸极漏电流及可予以忽视之极小的闸极迟滞、汲极迟滞、电流崩溃特性之附有电介质膜的氮化镓系半导体磊晶结晶基板。半导体磊晶结晶基板的制造方法,为于以金属有机化学气相沉积法所成长之氮化物半导体结晶层表面,赋予具有成为钝化膜或闸极绝缘膜之非晶质结晶形之氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层之半导体磊晶结晶基板的制造方法,于磊晶成长炉内使上述氮化物半导体结晶层成长后,直接于该磊晶成长炉内使上述电介质层连续成长于上述氮化物半导体结晶层。