具有自我校准形貌之沟槽闸极场效电晶体(FET) TRENCH GATE FET WITH SELF-ALIGNED FEATURES

摘要

一种场效电晶体是形成如下。沟槽是形成在一个第一导电类型半导体区域内。一个陷在每个沟槽内的闸极电极被形成。利用一个第一光罩,一个第二导电类型本体区域是藉由植入掺杂物来形成于该半导体区域内。利用该第一光罩,第一导电类型源极区域是藉由植入掺杂物来形成于该本体区域内。