薄膜电晶体之制造方法

摘要

本发明系于包含在具有阶差之部位形成电极或配线等步骤之薄膜电晶体之制造方法中,提供一种能够简易且确实于该阶差部位形成叠层膜或连结膜之方法。本发明之制造方法之特征在于:包含:形成堤(bank)之步骤,该堤含有第1堤部31b及第2堤部31a;该第1堤部31b位于半导体层84上之该半导体层84之大致部;该第2堤部31a系在半导体层84之周缘,且包含以包围该半导体层84之方式形成之薄膜部32,及以包围该薄膜部32之方式形成之厚膜部33;配置步骤,其系于由薄膜部32及第1堤部31b包围之区域内,以覆盖半导体层84之方式配置包含导电材料之第1功能液60;及使该第1功能液乾燥而制得第1导电膜之步骤;其后去除薄膜部32,而于该去除区域形成第2导电膜。

主权项

1.一种薄膜电晶体之制造方法,其特征在于包含: 闸极电极形成步骤,其系于基板上形成闸极电极者 ; 闸极绝缘膜形成步骤,其系于已形成之闸极电极上 形成闸极绝缘膜者; 半导体层形成步骤,其系于前述闸极绝缘膜上形成 半导体层者; 堤形成步骤,其系形成堤者,该堤含有第1堤部及第2 堤部;该第1堤部位于前述半导体层上之该半导体 层之大致中央部;该第2堤部系前述半导体层之周 缘,且包含以包围该半导体层之方式形成之薄膜部 ,及以包围该薄膜部之方式形成之厚膜部; 第1配置步骤,其系于由前述薄膜部及前述第1堤部 包围之区域内,以覆盖前述半导体层之方式配置包 含导电材料之第1功能液者; 乾燥步骤,其系使所配置之第1功能液乾燥而制得 第1导电膜者; 薄膜部去除步骤,其系于前述乾燥步骤之后,选择 性去除前述薄膜部者; 第2配置步骤,其系于已去除前述薄膜部之区域,以 与前述第1导电膜相连之方式配置包含导电材料之 第2功能液者;及 乾燥步骤,其系使所配置之第2功能液乾燥而制得 第2导电膜者。 2.如请求项1之薄膜电晶体之制造方法,其中前述第 1导电膜系构成源极电极及/或汲极电极。 3.如请求项1或2之薄膜电晶体之制造方法,其中于 前述堤形成步骤中,系以前述第1堤部分离源极电 极及汲极电极之方式,而于前述半导体层之大致中 央部形成该堤。 4.如请求项1或2之薄膜电晶体之制造方法,其中于 前述堤形成步骤中,系于形成膜厚均一之感光性树 脂层后,于进行该感光性树脂层之曝光时,藉由使 曝光强度于基板面内变化,而形成前述薄膜部及前 述厚膜部。 5.如请求项1或2之薄膜电晶体之制造方法,其中包 含拨液处理步骤,其系于前述堤形成步骤之后,于 已形成堤之表面进行拨液处理者。 6.如请求项1或2之薄膜电晶体之制造方法,其中于 前述第1配置步骤及/或前述第2配置步骤中,系藉由 利用液滴喷出装置之液滴喷出法以配置功能液。 7.如请求项1或2之薄膜电晶体之制造方法,其中于 前述第1配置步骤及/或前述第2配置步骤中,系藉由 利用毛细管现象之CAP涂布法而配置功能液。 8.如请求项1或2之薄膜电晶体之制造方法,其中于 前述薄膜部去除步骤中,系藉由灰化而去除该薄膜 部。 图式简单说明: 图1(a)~(d)系表示第1实施形态之配线图案形成步骤 之剖面模式图。 图2(a)~(c)系表示接续图1之配线图案形成步骤之剖 面模式图。 图3(a)~(d)系表示第2实施形态之配线图案形成步骤 之剖面模式图。 图4(a)~(d)系表示接续图3之配线图案形成步骤之剖 面模式图。 图5系液滴喷出装置之概略立体图。 图6系用以说明以压电方式进行之液状体之喷出原 理之模式图。 图7系用以说明Cap涂布法之剖面模式图。