| 摘要 |
<p>Двукомпонентният магнитометър съдържа полупроводникова подложка (1) с p-тип проводимост, върху едната страна на която е формиран n-тип епитаксиален слой (2), токоизточник (7), като измерваното външномагнитно поле лежи в равнината на полупроводниковата подложка. Сензорът се характеризира с това, чеn-тип eпитаксиалният слой (2) е съставен от две равни и взаимноперпендикулярни части, в близост додвата края на n-тип слоя (2) и върху него са формирани по един захранващ омичен контакт (3 и 4), а посредите на взаимноперпендикулярните части има по един Холов контакт (5 и 6), двата захранващи контакта (3 и 4) са съединени с токоизточника (7) и къмнего са свързани още два тримера (8 и 9), а изходите (11 и 12) за двете взаимноперпендикулярни компоненти на измерваното магнитно поле (10) са по една от средните точки на тримерите (8 и 9), и съответно по един от Холовите контакти (5 и 6).</p> |
