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经营范围
发明名称
Method of etching an interlayer insulating film in a semiconductor device
摘要
申请公布号
KR100833421(B1)
申请公布日期
2008.05.29
申请号
KR20020035617
申请日期
2002.06.25
申请人
发明人
分类号
H01L21/311
主分类号
H01L21/311
代理机构
代理人
主权项
地址
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