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In einem Halbleitersubstrat (1) mit einer Substratoberfläche (10) ist ein Transistor ausgebildet, der einen ersten (51) und einen zweiten (52) Source/Drain-Bereich, einen den ersten (51) und den zweiten (52) Source/Drain-Bereich verbindenden Kanalbereich (53) sowie eine Gateelektrode (27) zur Steuerung eines elektrischen Stromflusses im Kanalbereich (53) aufweist. Die Gateelektrode (27) ist in einem Gategraben (25) angeordnet, der in der Substratoberfläche (10) definiert ist und einen oberen sowie einen unteren Abschnitt umfasst. Dabei ist die Gateelektrode (27) im unteren Grabenabschnitt angeordnet. Der obere Grabenabschnitt ist mit einem Isolatormaterial gefüllt. Der Kanalbereich (53) umfasst einen Finnen-ähnlichen Abschnitt, in dem der Kanalbereich (53) die Form eines Stegs aufweist. In einem zu einer ersten Richtung senkrechten Querschnitt weist der Steg eine Oberseite und zwei Längsseiten auf. Die erste Richtung wird dabei durch eine den ersten (51) und den zweiten (52) Source/Drain-Bereich verbindende Linie definiert. Die Gateelektrode (27) ist entlang der Oberseite und den zwei Längsseiten des Kanalbereichs (53) angeordnet.
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