| 摘要 |
<p>Eine Laserstrahlbearbeitungsanlage beinhaltet: einen Einspanntisch zum Halten eines Wafers; eine Laserstrahlbestrahlungseinheit zum Bestrahlen des durch den Einspanntisch gehaltenen Wafers mit einem Laserstrahl; eine Bearbeitungszuführeinheit zur Bearbeitungszufuhr des Einspanntischs; und eine Teilungszuführeinheit zur Teilungszufuhr des Einspanntisches, wobei die Anlage ferner eine Ätzeinheit zum Ätzen des Wafers, der einer Laserstrahlbearbeitung unterzogen wurde und eine Zuführeinheit zum Zuführen des auf dem Einspanntisch gehaltenen, laserstrahlbearbeiteten Wafers zu der Ätzeinheit beinhaltet.</p> |
