| 发明名称 |
Speicherzelle, DRAM und Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur in einem Halbleitersubstrat |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10351030(B4) |
申请公布日期 |
2008.05.29 |
| 申请号 |
DE20031051030 |
申请日期 |
2003.10.31 |
| 申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
GOLDBACH, MATTHIAS;FREY, ULRICH;FISCHER, BJOERN |
| 分类号 |
H01L27/108;G11C11/40;H01L21/336;H01L21/8242;H01L29/423;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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