| 发明名称 | 一种低压混频器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器。该混频器包括以下几部分：一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源。该混频器电路结构中，跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接，解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题，以及跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间折衷设计的难题。本发明可用于深亚微米RF CMOS电路的应用，尤其用于卫星导航双系统兼容接收机射频集成电路的设计研制，在军用和民用方面都有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101188402A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710179979.3 | 申请日期 | 2007.12.20 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 张晓林;宋丹;张展;夏温博;李怀周;方绍峡 |
| 分类号 | H03D7/14(2006.01);H03K17/687(2006.01);G01S1/02(2006.01) | 主分类号 | H03D7/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京永创新实专利事务所 | 代理人 | 周长琪 |
| 主权项 | 1.一种低压混频器，其特征在于，该混频器包括以下几部分：一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源，该混频器的跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接，负载级连接于开关级的源极与地之间，一对电流源连接于开关级的漏极与电源之间，另一对电流源分别连接于跨导级的栅极与地之间、开关级的栅极与地之间，电路中所有MOS管的衬底均与其对应的源极连接。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路37号 | ||