发明名称 |
高频电源装置及高频功率供给方法 |
摘要 |
本发明提供一种高频电源装置及高频功率供给方法,其可以精度优良地在短时间内控制并供给等离子体生成所需要的有效的高频功率。其至少包括:向等离子体处理室(5)供给第一频率f1的高频功率的第一高频电源部(11);及供给第二频率f2(f1>f2)的高频功率的第二高频电源部(71)。在第一高频电源部(11)中包括:振荡第一频率的高频功率的频率可变的第一高频振荡部(16);接受第一高频振荡部的输出,并将其功率进行放大的第一功率放大部(15);对反射波进行外差式检波的外差式检波部(13);接收由外差式检波部检波后的信号和行波信号,并对第一高频振荡部的振荡频率和第一功率放大部的输出进行控制的第一控制部(14)。 |
申请公布号 |
CN101188901A |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200710188373.6 |
申请日期 |
2007.11.20 |
申请人 |
巴尔工业株式会社;中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
早野英一;中村刚;前川泰范;饭塚浩;陈金元 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1.一种高频电源装置,其至少包括:向等离子体处理室供给第一频率的高频功率的第一高频电源部、和向等离子体处理室供给低于上述第一频率的第二频率的高频功率的第二高频电源部,其特征在于,在上述第一高频电源部中,包括:振荡上述第一频率的高频功率的、频率可变的第一高频振荡部;接受上述第一高频振荡部的输出,并将其功率进行放大的第一功率放大部;输入来自上述等离子体处理室的反射波和来自上述第一功率放大部的行波的第一方向性耦合器;对来自上述第一方向性耦合器的反射波信号进行外差式检波的反射波第一外差式检波部;以及接收在上述反射波第一外差式检波部进行检波后的信号和来自上述第一方向性耦合器的行波信号,并对上述第一高频振荡部的振荡频率和上述第一功率放大部的输出进行控制的第一控制部。 |
地址 |
日本大阪府大阪市住之江区南加贺屋3丁目8番13号 |