使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法

摘要

本发明是有关于一种使用金属污染以及热处理识别单晶硅的晶体缺陷区的方法。在此方法中，制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品。用金属以约1×10¹⁴到5×10¹⁶个原子/平方厘米的污染浓度污染样品的至少一侧。热处理受污染的样品。观察热处理过的样品的受污染侧或相反侧来识别晶体缺陷区。在不使用另一检查装置的情况下，可准确、容易且快速地分析晶体缺陷区，而与单晶硅中的氧浓度无关。

主权项

1.一种识别晶体缺陷区的方法，其特征在于其包括以下步骤：制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品；用金属以约1×1014到5×1016个原子/平方厘米的污染浓度，来污染所述样品的至少一侧；热处理所述受污染的样品；以及观察所述热处理过的样品的受污染侧或相反侧，来识别晶体缺陷区。