| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有优异的电极性能和制造稳定性的贯通电极的半导体器件。提供一种由在半导体器件上的导电的小直径栓塞和导电的大直径栓塞构成的贯通电极。小直径栓塞的截面积制得比连接栓塞的截面积和直径大，且制得比大直径栓塞的截面积和直径小。此外，把以小直径栓塞从硅衬底伸出的方式形成的凸出部分放入大直径栓塞的上表面中。此外，小直径栓塞的上表面连接到第一互连。 | ||
| 申请公布号 | CN100390981C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200510056195.2 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 川野连也 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面上提供的且其中具有导电元件的绝缘层；和贯穿所述半导体衬底且连接到所述导电元件的贯通电极；其中所述贯通电极包括：连接到所述导电元件的第一导电栓塞；以及在所述半导体衬底中提供的且连接到所述第一导电栓塞的第二导电栓塞，所述第二导电栓塞具有比所述第一导电栓塞的截面积大的截面积；所述第一导电栓塞的底面位于所述第二导电栓塞上表面之下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||