| 发明名称 | 层间介质、半导体结构以及制作半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用来防止含有铜区域的半导体结构中的铜离子迁移的层间介质。本发明的层间介质包含介电常数为3.0或更小的介电材料以及能够高度键合铜离子又可溶解在介电材料中的添加剂。低k介质中添加剂的存在，使得能够免去诸如SiO<SUB>2</SUB>或Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>之类的常规无机势垒材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100390944C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN00122701.7 | 申请日期 | 2000.08.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 斯第芬·阿兰·科汗;克劳迪尔斯·佛格;杰弗里·克尔提斯·合支克;简·玛格利特·邵 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种能够降低或消除铜离子迁移的层间介质，它包含介电常数为3.0或更小的介电材料以及添加剂，所述添加剂能够键合铜离子，可溶解在所述介电材料中并均匀地分布在整个所述介电材料中。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||