| 发明名称 |
Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1708259(A3) |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
| 申请号 |
EP20060251792 |
申请日期 |
2006.03.30 |
| 申请人 |
EUDYNA DEVICES INC. |
发明人 |
KURACHI, SHUNSUKE;KOMATANI, TSUTOMU |
| 分类号 |
H01L23/29;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L23/29 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
