| 发明名称 | 自旋阀及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有低而稳定耦合场的自旋阀的制作方法包括氧暴露步骤。使用离子束溅射方法沉积第一铁磁层。其第一表面暴露到氧分压大约为5×10<SUP>-6</SUP>Torr中。氧被物理吸附到第一表面。在间隔层沉积之前，氧分压迅速减小。间隔层具有第二表面，用氧对其处理。在第二铁磁层沉积之前，氧分压迅速减小。氧的表面吸附限制了层间的混合并减小了表面粗糙度，导致减小了自旋阀的耦合场。耦合场在强烘烤退火中是稳定的。磁阻率也显著增强。 | ||
| 申请公布号 | CN100390859C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN01123139.4 | 申请日期 | 2001.07.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 姆斯塔法·皮纳巴塞 |
| 分类号 | G11B5/127(2006.01);G11B5/33(2006.01);G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/127(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种自旋阀的制作方法，包括：a)提供衬底；b)在衬底上沉积具有第一表面的第一铁磁层；c)沉积具有第二表面的间隔层；d)沉积第二铁磁层，其中间隔层被置于第一和第二铁磁层之间；以及e)暴露第一和第二表面的一个或多个到氧分压中，然后在沉积紧随其后的层之前降低氧分压，其中第一和第二表面的一个或多个暴露到1×10-7Torr和5×10-5Torr之间的氧分压中。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||