半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法

摘要

一种半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法，半导体存储装置具备：能够在1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元、将上述N值数据的各数据值分别存储的多个监控单元。该修正方法包括如下步骤：采用包含了第1监控单元的多个监控单元；对于所述第1监控单元，每当对以所述第1监控单元作为监控对象的所述存储单元的读出操作发生时，就至少施行1次的读出操作；检测所述监控单元的物理量是否在预先设定的范围内；当在预先设定的范围以外时，确认所述存储单元的所述物理量是否在预先设定的范围内；当确认出所述存储单元的所述物理量在预先设定的范围外时，将该存储单元的所述物理量修正为收纳在预先设定的范围内。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：可以在1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元，其中N为2以上的自然数；将所述N值数据的各数据值以和所述存储单元相同的存储方式分别存储的多个监控单元；检测与所述监控单元存储的所述数据值对应的所述监控单元的物理量是否在预先设定的范围内的检测机构；和在所述检测机构检测为所述监控单元的所述物理量在预先设定的范围以外的情况下，确认与存储于所述存储单元内的数据值对应的所述存储单元的所述物理量是否在预先设定的范围内的确认机构，所述多个监控单元包括第1监控单元，监控与所述存储单元的数据保持状态的读出操作相伴随的劣化，对于所述第1监控单元，构成为每当对以所述第1监控单元作为监控对象的所述存储单元的读出操作发生时，就至少施行1次的读出操作。