| 发明名称 | 一种用于释放应力的多孔缓冲层制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种属于薄膜制备领域的多孔缓冲层生长方法，其特征在于使用金属合金制备多孔缓冲层，该法包括：利用薄膜沉积设备，在单晶衬底上沉积金属合金薄层，继而形成氮化物多孔掩膜层；在该掩膜层上沉积一层无定型外延材料，通过退火和其它外延手段使得纳米柱只在掩膜层网孔处生长；随后改变生长条件使得纳米柱阵列逐渐合并成平整表面，形成多孔缓冲层；最后在此平整表面上生长出所需厚度的高质量薄膜。该多孔缓冲层合成方法简单，使用该方法制得的薄膜或器件具有缺陷密度小、寿命长、期间性能高等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN101188195A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200710191884.3 | 申请日期 | 2007.12.18 |
| 申请人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 王怀兵 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/205(2006.01);C30B25/04(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B25/22(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 1.一种用于释放应力的多孔缓冲层制备方法，其特征在于包括下列步骤：(1)在单晶衬底上沉积一层金属薄层；(2)通过原位重构手段将金属薄层转化成无定型多孔网状掩膜；(3)在所述多孔掩膜孔隙处生长纳米柱阵列，阵列高度大于多孔掩膜厚度；(4)通过侧向外延技术将纳米柱阵列合并形成平整表面，获得所需的多孔缓冲层；(5)在上述平整表面上生长出所需厚度的氮化物半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路150号南大苏州研究生院B－513 | ||